onsemi NTMTS0D7N04C 40 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTMTS0D7N04C 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET wurde mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren von onsemi hergestellt und enthält eine abgeschirmte Gate-Technologie. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung. Der NTMTS0D7N04C von onsemi bietet einen Dauersenkenstrom (ID) von 420 A und einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON) von 0,67 mΩ (max.).
Merkmale
- Kleiner Footprint (8 mm x 8 mm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Geringe QG und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Industriestandard-Power-88-Gehäuse
- RoHS-konform
Applikationen
- Batterieschalter
- Schaltnetzteile
- Lastschalter
- AC/DC-Netzteile
- Motorsteuerung
Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-30
| Aktualisiert: 2024-06-11