onsemi NTMFSC006N Dual Cool-n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der Dual Cool™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET NTMFSC006N von onsemi verfügt über das PowerTrench® -Verfahren in einem zweiseitig gekühlten Gehäuse. Dieser Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch einen extrem niedrigen RDS(ON), eine Drain-Source-Spannung von 120 V, eine Gate-Source-Spannung von ±20 V, gepulsten 1.459-A-Drainstrom und eine maximale Sperrschichtbetriebs-/Lagertemperatur von 150 °C aus. Der NTMFSC006N Dual Cool™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist 100% UIL-geprüft und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören ein AC/DC-Händler-Netzteil, primärer DC/DC-FET, Synchrongleichrichter und eine DC/DC-Wandlung.
Merkmale
- Dual Cool™-PQFN-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite
- Max RDS(on) = 6,1 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A
- Leistungsstarke Technologie für extrem niedrigen RDS(on)
- 100% UIS-getestet
- RoHS-konform
Technische Daten
- 120V Drain-to-Source-Spannung
- ±20V Gate-to-Source-Spannung
- 1459A gepulster Drainstrom
- Maximale Sperrschicht-/Lagertemperatur: 150 °C
- Robustes MSL1-Gehäusedesign
Applikationen
- AC/DC-Händlernetzteil
- Primärer DC/DC-FET
- Synchroner Gleichrichter
- DC/DC-Wandlung
Diagramm der typischen Eigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-20
| Aktualisiert: 2024-01-05