onsemi NTMFS7D5N15MC Abgeschirmter Gate-PowerTrench®-MOSFET
Der onsemi NTMFS7D5N15MC abgeschirmte n-Kanal-Gate-PowerTrench®-MOSFET wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand zu reduzieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung mit einer erstklassigen Soft-Body-Diode beizubehalten. Der NTMFS7D5N15MC von onsemi senkt das Schaltrauschen, die EMI, die Kapazität (zur Reduzierung der Treiberverluste) und einen RDS(on) (zur Reduzierung der Leitungsverluste).
Merkmale
- Abgeschirmte Gate-MOSFET-Technologie
- Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für kompakte Designs
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung der Leitungsverluste
- Niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- Verringert Schaltrauschen/EMI
- Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
- 100 % UIS-getestet
- Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- AC/DC- und DC/DC-Netzteile
- AC-DC-Adapter (USB PD) SR
- Lastschalter
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannung: 150 V
- Maximale Gate-Source-Spannung: ±20 V
- Maximaler gepulster Drainstrom: 478 A
- Typische Anstiegszeit: 6 ns
- Typische Abfallzeit: 5 ns
- Typische Einschaltverzögerungszeit: 27 ns
- Ausschaltverzögerungszeit: 32 ns
- Maximale Drain-Source-Avalanche-Energie bei einem Einzelimpuls: 486 mJ
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis+175 °C
- Power-56(PQFN8)-Gehäuse
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-06
| Aktualisiert: 2024-11-18