onsemi NTMFS5H663NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der NTMFS5H663NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi bietet einen niedrigen RDS(on), einen niedrigen QG und eine niedrige Kapazität in einem kompakten Design von 5 mm x 6 mm. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Drain-to-Source-Spannung von 60 V, eine Gate-to-Source-Spannung von ±20 V, einen gepulsten Drainstrom von 327 A und einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Der NTMFS5H663NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Netzteile, Motorantriebe und Motorsteuerungsschalter.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Kleiner Footprint von 5mm x 6mm für ein kompaktes Design
- Bleifrei
- RoHS-konform
Technische Daten
- 60V Drain-to-Source-Spannung
- Gate-to-Source-Spannung: ±20 V
- Gate-Schwellenspannung: 2 V
- Gate-to-Source-Ableitstrom: 100 nA
- Schwellwert-Temperaturkoeffizient: 5,6 mV/°C
- Durchlass-Transkonduktanz: 64 s
- Eingangskapazität: 1131 pF
- Ausgangskapazität: 213 pF
- Gepulster Drainstrom: 327 A
- -55°C bis 150°C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
Applikationen
- Synchrone Gleichrichter
- Motorsteuerungsschalter
- Stromversorgung
- Motorantriebe
Diagramm der typischen Eigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-19
| Aktualisiert: 2024-05-16