onsemi NTMFS005P03P8Z p-Einkanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTMFS005P03P8Z p-Einkanal-Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Leistungslastschalter, Batteriemanagement und den Schutz (Sperrstrom, Überspannung und negative Sperrspannung). Der NTMFS005P03P8Z wird in einem Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und liefert eine Drain-Source-Spannung von -30 V, einen On-Widerstand von 2,7 mΩ bei 10 V und einen Drain-/Standby-Strom von 164 A. Der NTMFS005P03P8Z von onsemi ist in einem SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm untergebracht, das eine fortschrittliche Gehäusetechnologie für Platzeinsparungen und eine ausgezeichnete Wärmeleitung verwendet.
Merkmale
- Extrem niedriger RDS(on) zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads
- Fortschrittliche Gehäusetechnologie für Platzeinsparungen und eine hervorragende Wärmeleitung
- SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Schutz
- Rückstrom
- Überspannungsschutz
- Negative Sperrspannung
- Leistungslastschalter
- Batteriemanagement
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannung: -30 V
- Maximale Gate-Source-Spannung: ±25 V
- Maximaler Dauersenkenstrombereich: -11 A bis -164 A
- Maximaler Verlustleistungsbereich: 0,9 W bis 104 W
- Maximaler gepulster Drainstrom: -597 A
- Maximaler Null-Gate-Spannungs-Drainstrom: -1,0 µA
- Maximaler Gate-Source-Ableitstrom: ±10 µA
- Maximale Einzelimpuls-Drain-Source-Avalanche-Energie: 165,8 mJ
- Maximaler Drain-Source-On-Widerstandsbereich: 2,7 mΩ bis 4,4 mΩ
- Übertragungs-Transkonduktanz: 87 S (typisch)
- Gate-Gesamtladung: 183 nC (typisch)
- Sperrverzögerungszeit: 57 ns (typisch)
- Ladezeit: 34 ns (typisch)
- Entladezeit: 23 ns (typisch)
- Sperrverzögerungsladung: 77 nC (typisch)
- Typische Kapazität
- Eingang: 7.880 pF
- Ausgang: 2.630 pF
- Rückwärtsübertragung: 2.550 pF
- Maximaler thermischer Widerstand im stationären Zustand
- 1,2 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse
- Sperrschicht-Umgebungsbereich: 40 °C/W bis 137 °C/W
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-19
| Aktualisiert: 2024-03-05