onsemi NTMC083NP10M5L n- und p-Dualkanal-Leistungs-MOSFET
Der onsemi NTMC083NP10M5L n- und p-Dual-Kanal-Leistungs-MOSFET ist mit einer niedrigen Gate-Ladung (Qg) und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-Source-Widerstand (RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Dieses Bauteil ist mit einem kompakten Standard-Footprint von 5 mm x 6 mm ausgelegt und ist nicht ESD-geschützt. Der NTMC083NP10M5L Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Elektrowerkzeugen, batteriebetriebenen Staubsaugern, unbemannten Luftfahrzeugen (UAV)/Drohnen, Materialtransport, Motorantrieb und Heimautomatisierung.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Geringe QG und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Nicht ESD-geschützt
- Kleiner Footprint von 5 mm x 6 mm für ein kompaktes Design
- Blei- und halogen-/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- Elektrowerkzeuge
- Batteriebetriebene Staubsauger
- Unbemannte Luftfahrzeuge (UAV)/Drohnen
- Materialverarbeitung
- Motorantrieb
- Heimautomatisierung
Veröffentlichungsdatum: 2021-08-27
| Aktualisiert: 2022-03-11