onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET
Der NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET von onsemi ist in einem kompakten SOT-723-Gehäuse mit integriertem ESD-Schutz erhältlich. Das SOT-723-Gehäuse hat einen 44 % kleineren Footprint und ist 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse. Die Drain-Source-Spannung (VDSS) ist bei -20 V bewertet und hat einen Dauersenken-Nennstrom (ID) von -780 mA (TA = +25 °C). Der NTK3139P von onsemi verfügt über einen niedrigen Schwellenwert, was einen RDS(on) von 1,5 V (VGS = 1,5 V, ID = -100 mA) mit 0,95 Ω (typisch) ermöglicht. Das Bauteil von onsemi kann mit einem Gate-Treiber mit niedrigem Logikpegel betrieben werden. Typische Applikationen sind Last-/Leistungsschaltung, Schnittstellen (Logikschaltung) und Batteriemanagement für extrem kleine tragbare Elektronik.
Merkmale
- p-Kanal-Schalter mit niedrigem RDS(on)
- 44 % kleinerer Footprint und 38 % dünner als SC-89
- Niedrige Schwellenwerte ermöglichen einen Nennwert von 1,5 V RDS(on)
- Betrieb mit einem Gate-Treiber mit niedrigem Logikpegel
- Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Last-/Leistungsschaltung
- Schnittstellen (Logikschaltung)
- Batteriemanagement für extrem kleine tragbare Elektronik
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung (VDSS): -20 V
- Gate-Source-Spannung (VGS): ±6 V
- Kontinuierliche Drainströme (ID) von -780 mA (TA = +25 °C), -570 mA (TA = +85 °C), -870 mA (t < =="" 5="" s,="">A = +25 °C)
- Verlustleistung (PD) von 450 mW (TA = +25 °C), 550 mW (t <= 5="" s,="">A = +25 °C)
- Sperrschicht-Betriebstemperatur-/Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +150 °C
- Gepulster Drainstrom (IDM) (tp = 10 µs): -1,2 A
- +260 °C Leitungstemperatur für Lötzwecke (TL)
- Drain-Source-On-Widerstand [RDS(on)]
- 0,38 Ω (typisch) bei VGS = -4,5 V, ID = -780 mA
- 0,52 Ω (typisch) bei VGS = -2,5 V, ID = -660 mA
- 0,70 Ω (typisch) bei VGS = -1,8 V, ID = -100 mA
- 0,95 Ω (typisch) bei VGS = -1,5 V, ID = -100 mA
Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-01
| Aktualisiert: 2025-10-14