onsemi NTHL045N065SC1 Siliziumkarbid-(SIC)-MOSFET
Der onsemi NTHL045N065SC1 Siliziumkarbid-(SIC)-MOSFET verwendet eine grundlegend neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Dieser kompakte MOSFET in Chip-Größe ist auf einen niedrigen On-Widerstand ausgelegt und gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Der NTHL045N065SC1 MOSFET liefert einen hohen Wirkungsgrad, eine höhere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte sowie eine reduzierte EMI und Systemgröße. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile (SNT), Solar-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, USV und Energiespeicherung.
Merkmale
- Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (Coss= 162 pF)
- Typischer RDS(on)= 32 m bei VGS= 18 V
- Typischer RDS(on)= 42 m bei VGS= 15 V
- Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
- Dauersenkenstrom (ID max.): 66 A
- Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg(tot)= 105 nC)
- 100 % Avalanche-getestet
- Hohe Sperrschichttemperatur (TJ < 175 °C)
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNT)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- DC/DC-Wandler
- Solar-Wechselrichter
- Energiespeicher
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-21
| Aktualisiert: 2023-08-04