onsemi NTHL022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs
Die NTHL022N120M3S Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von onsemi sind eine Produktfamilie von 1.200-V-M3S-Planar-SiC-MOSFETs, die für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Der NTHL022N120M3S von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungs-Drives und Ausschaltspitzen auf dem Gate arbeiten. Diese MOSFETs bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem 18-V- Gate-Drive, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive.
Merkmale
- Ausgezeichnete FOM [= Rdson * Eoss ]
- M3S-Technologie 22 mOhm RDS(ON) mit niedrigen EON - und EOFF -Verlusten
- 15 V bis 18 V Gate-Drive
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei und RoHs-konform
Applikationen
- Solarwechselrichter
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Energiespeichersysteme
- Schaltnetzteile (SNT)
Verwandte Produkte
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-05
| Aktualisiert: 2023-01-30