onsemi NTH4L018N075SC1 n-Kanal-SiC-MOSFET
Der NTH4L018N075SC1 n-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET von Onsemi ist ein 750 V-M2-EliteSiC-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der in einem kompakten TO247-4L-Gehäuse verfügbar ist. Dieser SiC-MOSFET unterstützt eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung mit niedriger Kapazität (Coss = 365 pF), einen Sperrverzögerungsstrom der Body-Diode und eine Kelvin-Quellenkonfiguration. Der NTH4L018N075SC1 SiC-MOSFET verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung von QG(tot) = 262 nC, eine Gate-Source-Spannung von -8 V/+22 V und eine Verlustleistung von 500 W. Zu den typischen Applikationen gehören Solar-Wechselrichter, EV-Ladestationen, Energiespeichersysteme, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Schaltnetzteile (SNT).
Der NTH4L018N075SC1 SiC-MOSFET bietet eine hohe Schaltleistung, eine hohe Zuverlässigkeit, einen hohen Wirkungsgrad, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Dieser SiC-MOSFET ist 100 % Avalanche-getestet und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Dieser n-Kanal-SiC-MOSFET ist halogenfrei, bleifrei 2LI und RoHs-konform mit Ausnahme 7a.
Merkmale
- Drain-Source-On-Widerstand:
- 13,5 mΩ bei VGS = 18 V typischer RDS(on)
- 18 mΩ bei VGS = 15 V typischer RDS(on)
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 262 nC)
- Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (Coss = 365 pF)
- 750 V Drain-zu-Quellen-Spannung
- Nullstrom-Sperrverzögerung der Body-Diode
- Kelvin-Quellenkonfiguration
- Gate-zu-Quellen-Spannungsbereich: -8/+22 V
- 100 % Avalanche-getestet
- -55 °C bis 175 °C Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich
- Halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme 7a
- Bleifrei 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Energiespeichersysteme
- Schaltnetzteile (SNT)
- Industrieapplikationen
Schaltplan
Maßbild
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-29
| Aktualisiert: 2024-08-22