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onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) von onsemi  sind als Ersatz für ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz konzipiert. Diese BRTs von onsemi enthalten einen Einzel-Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetz, das aus zwei Widerständen besteht: einem Series-Basiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand. Die BRTs eliminieren einzelne Bauelemente, indem sie alle in ein Einzelgerät integrieren. Die Verwendung eines BRT kann die Systemkosten und den Platzbedarf auf dem Board reduzieren. Die NSBCMXW-Bauelemente sind in einem XDFNW3-Gehäuse untergebracht, das eine überlegene thermische Leistung bietet. Diese Transistoren eignen sich ideal für oberflächenmontierbare Applikationen, bei denen Platz auf dem Board und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Merkmale

  • Integrierte Vorspannungswiderstände
  • Ergänzende PNP-Typen verfügbar (NSBAMXW)
  • Gehäuse XDFNW3 521AC mit einer niedrigen Sitzhöhe von maximal 0,44 mm
  • Gehäuse mit benetzbarer Flanke für eine optimale automatische optische Inspektion (AOI)
  • Klasse 1 B Elektrostatische Entladung (ESD) (HBM)
  • NSV-Präfix für Automotive und andere Applikationen mit einzigartigen Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Digitalschaltungen
  • Steuerungs-IC-Eingänge

Technische Daten

  • 50 V maximale Kollektor-Emitter/-Basis-Spannung
  • 100 mA maximaler Kollektorstrom
  • 100 nA maximaler Kollektor-Basis-Abschaltstrom
  • 500 nA maximaler Kollektor-Emitter-Abschaltstrom
  • 0,1 mA bis 0,5 mA maximaler Emitter-Basis-Abschaltstrombereich
  • 0,25 V maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • 0,3 V bis 0,8 V maximaler Eingangsspannungsbereich (aus)
  • 0,9 V bis 12 V typischer Eingangsspannungsbereich (on)
  • 0,2 V maximale Ausgangsspannung (ein)
  • 4,9 V minimale Ausgangsspannung (aus)
  • 6,1 kΩ bis 61,1 kΩ maximaler Vorspannungswiderstandsbereich
  • Wärme-
    • 450 mW maximale Gesamtverlustleistung
    • 145 °C/W thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Umgebung
    • -65 °C bis +150 °C Sperrschichttemperaturbereich

Pin-Anschlüsse

Technische Zeichnung - onsemi NSBCMXW NPN-Vorspannungswiderstands-Transistoren

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Veröffentlichungsdatum: 2025-08-29 | Aktualisiert: 2025-09-08