onsemi NCV51705 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-SiC-MOSFET-Treiber

Der onsemi NCV51705 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-SiC-MOSFET-Treiber ist für die Bereitstellung von hohem Spitzenstrom während dem Ein- und Ausschalten zur Reduzierung von Schaltverlusten ausgelegt. Der NCV51705 kann für eine höhere Zuverlässigkeit, eine dV/dt-Störfestigkeit und ein noch schnelleres Ausschalten seine On-Board-Ladungspumpe einsetzen, um eine durch den Benutzer wählbare negative Spannungsschiene zu erzeugen. Darüber hinaus bietet der NCV51705 für isolierte Applikationen eine extern zugängliche 5-V-Schiene für den Betrieb der Sekundärseite der Digital- oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren. Der NCV51705 bietet außerdem wichtige Schutzfunktionen, wie z. B. die Überwachung der Unterspannungssperre für den Bias-Strom. 

Der NCV51705 SiC-MOSFET-Treiber von onsemi wird in einem 24-Pin-QFN-Gehäuse (Quad Flat No-Lead, QFN) angeboten und ist mit einem Temperaturbereich der Klasse 1 für Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q100-Spezifikationen qualifiziert.

Merkmale

  • Nach AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen qualifiziert
  • Hoher Spitzenstrom mit geteilten Ausgangsstufen für eine eigenständige Einschalt-/Ausschalt-Einstellung
  • Quellenleistung: 6 A
  • Senkenleistung: 6 A
  • Erweiterte positive Nennspannung von bis zu 28 V für einen effizienten SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsphase
  • Einstellbare geregelte On-Board-Ladungspumpen (-3,3 V bis -8 V)
  • Negativer Spannungsantrieb für ein schnelles Ausschalten
  • Integrierte negative Ladungspumpe
  • Zugängliche 5-V-Referenz/Bias-Schiene für die digitale Oszillatorversorgung
  • Einstellbare Unterspannungssperre
  • Schnelle Entsättigungsfunktion
  • Betriebsfrequenz (fSW): 500 kHz
  • Umgebungsbetriebstemperatur (TA: -40 °C bis +125 °C
  • Kleines QFN-24-Gehäuse mit niedriger parasitärer Induktivität und benetzbarer Flanke

Applikationen

  • Automotive-Wechselrichter, -Wandler und -Motortreiber
  • Traktions-Wechselrichter
  • Hochleistungs-DC/DC-Wandler
  • Hochleistungs-Blindleistungskompensation (PFC)

Blockdiagramm

Blockdiagramm - onsemi NCV51705 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-SiC-MOSFET-Treiber

Typische Applikations-Schaltung

onsemi NCV51705 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-SiC-MOSFET-Treiber

Pin-Bezeichnungen

Technische Zeichnung - onsemi NCV51705 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-SiC-MOSFET-Treiber
Veröffentlichungsdatum: 2019-08-13 | Aktualisiert: 2024-02-20