onsemi NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus

Der onsemi NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus integriert einen leistungsstarken Hochfrequenz-Silizium(Si)-Treiber und 650-V-Gallium-Nitrid(GaN)-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) in einer einzigen Schalterstruktur. Die leistungsstarke Kombination aus dem Si-Treiber und dem GaN-HEMT-Leistungsschalter bietet eine bessere Leistung als die diskrete Lösung aus GaN-HEMT und externem Treiber. Die integrierte Implementierung des NCP5892 von onsemi reduziert die parasitäre Belastung der Schaltung und des Gehäuses erheblich und ermöglicht ein kompakteres Design.

Merkmale

Maximale Drain-Spannung von 650 V
Drain-Source-Widerstand im Ein-Zustand [R_DS(ON)]
- NCP58920 - 150 mΩ
- NCP58921 - 50 mΩ
- NCP58922 - 78 mΩ
Treiber-Laufzeitverzögerung von 30 ns (typisch)
TQFN26-Gehäuse von 8 mm x 8 mm reduziert die parasitären Induktivitäten
Der Einschaltvorgang des Treibers ist über einen externen Widerstand einstellbar, was eine EMI-Optimierung unter harten Schaltbedingungen ermöglicht
GDS-Logikeingang, der die Treiberstärke umschaltet, um die Begleitung mit QR-Flyback-Controllern zu erleichtern

Kriechstrecke von 2,75 mm für maximale Zuverlässigkeit
Treiberklemmen-Spannungsregler: 6,0 V
TTL-kompatibler Schmitt-Trigger und Rail-to-Rail-PWM-Eingang
UVLO-Schutzfunktionen
- NCP58920 und NCP58921 für V_DD- und VDR-Versorgungen
- NCP58922 für V_DD- und VDDL-Versorgungen
dV/dt-Anstiegsraten-Transientenimmunität bis zu 200 V/ns
LDO-Ausgang von +5 V zur Versorgung digitaler Isolatoren mit Strom von bis zu 20 mA für NCP58921
Maximale V_DD -Nennspannung von 20 V
Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform