onsemi Dual-n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V
Der onsemi Dual-n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist in in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignet. Das 80-V-Bauteil verfügt über einen RDS(on) von 6,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Der MOSFET verfügt über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus ist das Bauteil AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.
Merkmale
- Drain-Source-Widerstand: 6,9 mΩ RDS(on)
- Flaches, kompaktes Design von 5 mm x 6 mm
- Montageart: SMD/SMT
- Dauersenkenstrom: 74 A
- 20 V VGS (Gate-Source)
- 2 V VGS th (Gate-Source-Schwellenwert)
- 80 V VDS (Drain-Source-Durchschlagspannung)
- 32 nC Qg (Gate-Ladung)
- 90 W, 3,1 W PD (Verlustleistung)
- 22 ns Abfallzeit
- 34 ns Anstiegszeit
- 52 ns Ausschaltverzögerung (typisch)
- 15 ns Einschaltverzögerung (typisch)
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- RoHS-konform
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Schaltnetzteile
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
- Magnet-Treiber: ABS, Kraftstoffeinspritzung
- Motorsteuerung für EPS, Scheibenwischer, Lüfter, Sitze usw.
- Lastschalter für ECU, Fahrgestell, Karosserie
Veröffentlichungsdatum: 2019-10-25
| Aktualisiert: 2024-02-14