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onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE

Der onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE ist für Verstärkerapplikationen ausgelegt. Dieser NPN-Transistor verfügt über eine hohe Stromverstärkung (HFE) von 210 bis 460 und eine niedrige VCE <0,5 V Der NPN-Transistor wird in einem SC-70-/SOT-323-Gehäuse geliefert, das für stromsparende Applikationen zur Oberflächenmontage ausgelegt ist. Der epitaktische Silizium-Planar-Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser Transistor mit niedriger VCE ist blei- und halogen-/BFR-frei. Zu den typischen Applikationen gehören Batterie-Verpolungsschutz, DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltung.

Merkmale

  • Feuchteempfindlichkeit 1 (MSL-1)
  • ESD-Schutz:
    • Human Body Model > 4.000 V
    • Machine Model > 400 V
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Blei- und halogenfrei/BFR-frei
  • RoHS-konform

Technische Daten

  • Hohe hFE, 210 bis 460
  • Niedrige VCE(sat) <0,5 V
  • 60 VDC -Kollektor-Basis und Kollektor-Emitter-Spannung
  • Emitter-Basisspannung: 7 V
  • Verlustleistung: 150 mW
  • Kollektorstrom
    • 100 mADC – Dauerstrom
    • 200 mADC – Spitzenstrom
  • 150 °C Sperrschichttemperatur

Applikationen

  • Batterie-Verpolungsschutz
  • DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten

Maßbild

Technische Zeichnung - onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCE
Veröffentlichungsdatum: 2023-12-14 | Aktualisiert: 2024-01-30