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onsemi NVT201xN0 M2-SiC-N-Kanal-MOSFETs

Die M2-SiC-N-Kanal-MOSFETs NVT201xN0 von onsemi bieten im Vergleich zur bestehenden Si-Technologie einen Betrieb bei höheren Spannungen, größere Temperaturbereiche und höhere Schaltfrequenzen. Diese MOSFETs bieten eine niedrige effektive Ausgangskapazität und eine extrem niedrige Gate-Ladung, was zu geringeren Schaltverlusten und höheren Schaltgeschwindigkeiten führt. Die SiC-N-Kanal-MOSFETs NVT201xN0 M2 von onsemi sind zu 100 % UIS-getestet und AEC-Q101-qualifiziert.

Merkmale

  • Niedrige effektive Ausgangskapazität
  • Extrem niedrige GATE elektrische Ladung
  • Zu 100 % UIS-getestet
  • Gemäß AEC-Q101 qualifiziert
  • Halogenidfrei und RoHS-konform mit Ausnahme 7a, bleifrei 2LI (bei Zusammenschaltung auf zweiter Ebene)

Applikationen

  • Ladegeräte für Fahrzeug und Bordnetz
  • Fahrzeug-DC/DC-Wandler für Elektro- und Hybridfahrzeuge
  • SMPS, Solarumrichter, UPS, Energiespeicher, Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge

Technische Daten

  • On-Widerstand von Drain zu Source [RDS(on)]
    • NVT2012N065M2: 18 mΩ (Typ.) bei VGS= 18 V
    • NVT2016N090M2: 23 mΩ (Typ.) bei VGS= 18 V
  • Spannung von Drain zu Source (VDSS)
    • NVT2012N065M2: 650 V
    • NVT2016N090M2: 900 V
  • Dauersenkenstrom (ID) (TC = +25 °C)
    • NVT2012N065M2: 180 A
    • NVT2016N090M2: 148 A
  • Verlustleistung (PD) (TC = 25 °C)
    • NVT2012N065M2: 375 W
    • NVT2016N090M2: 789 W
  • Gepulster Senkenstrom (IDM) (TC = +25 °C, tp = 100 µs)
    • NVT2012N065M2: 482 A
    • NVT2016N090M2: 424 A
  • Eingangskapazität (CISS)
    • NVT2012N065M2: 5.389 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2: 5.340 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Ausgangskapazität (COSS)
    • NVT2012N065M2 431 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2 31 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Gesamte elektrische Gate-Ladung [QG(TOT)]
    • NVT2012N065M2: 256 nC (VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -5 V/+18 V)
    • NVT2016N090M2: 250 nC (VDS = 425 V, ID = 60 A, VGS = -5 V/+18 V)

Weitere Ressourcen

Schalt- und Markierungsdiagramme

Schaltplan - onsemi NVT201xN0 M2-SiC-N-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-12 | Aktualisiert: 2025-11-23