onsemi LFPAK4 Industrie-Leistungs-MOSFETs
onsemi LFPAK4 Industrie-Leistungs-MOSFETs sind Einzel-n-Kanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Industriestandard-Leistungs-MOSFET sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für kompakte Designs
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- LFPAK-4-Industristandard-Gehäuse
- Bleifrei und RoHS-konform
Merkmale
- Schaltnetzteile
- Solarwechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Geräte für Induktionserwärmung
- Motorantriebe
- Windenergie-Leistungswandler
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| Teilnummer | Datenblatt | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMYS014N06CLTWG |  |
60 V | 36 A | 15 mOhms | 9.7 nC | 37 W |
| NTMYS5D3N04CTWG | |
40 V | 71 A | 5.3 mOhms | 16 nC | 50 W |
| NTMYS7D3N04CLTWG | |
40 V | 52 A | 7.3 mOhms | 7 nC | 38 W |
| NTMYS2D4N04CTWG | |
40 V | 138 A | 2.3 mOhms | 32 nC | 83 W |
| NTMYS8D0N04CTWG | |
40 V | 49 A | 8.1 mOhms | 10 nC | 38 W |
| NTMYS025N06CLTWG | |
60 V | 21 A | 27.5 mOhms | 2.7 nC | 24 W |
| NTMYS011N04CTWG | |
40 V | 35 A | 12 mOhms | 7.9 nC | 28 W |
| NTMYS021N06CLTWG | |
60 V | 27 A | 21 mOhms | 5 nC | 28 W |
Veröffentlichungsdatum: 2019-08-30
| Aktualisiert: 2024-02-27