onsemi LFPAK4 Automotive-Leistungs-MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive-Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte n-Einkanal-MOSFETs mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, die sich ideal für kompakte Designs eignen. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand zur Reduzierung der Leitungsverluste und eine niedrige Gate-Ladung und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Diese Automobilstandard-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei, RoHS-konform und verfügen über einen großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Merkmale

  • Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) für kompakte Designs
  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
  • LFPAK4-Gehäuse nach Industriestandard
  • AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
  • Bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Automotive
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Solarwechselrichter
  • Motorantriebe

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - onsemi LFPAK4 Automotive-Leistungs-MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Datenblatt 40 V 71 A 5.3 mOhms 16 nC
NVMYS011N04CTWG NVMYS011N04CTWG Datenblatt 40 V 35 A 12 mOhms 7.9 nC
NVMYS8D0N04CTWG NVMYS8D0N04CTWG Datenblatt 40 V 49 A 8.1 mOhms 10 nC
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Datenblatt 60 V 36 A 15 mOhms 9.7 nC
NVMYS021N06CLTWG NVMYS021N06CLTWG Datenblatt 60 V 27 A 21 mOhms 5 nC
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG Datenblatt 60 V 21 A 27.5 mOhms 5.8 nC
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG Datenblatt 60 V 71 A 6.1 mOhms 20 nC
NVMYS3D3N06CLTWG NVMYS3D3N06CLTWG Datenblatt 60 V 133 A 3 mOhms 40.7 nC
NVMYS010N04CLTWG NVMYS010N04CLTWG Datenblatt 40 V 38 A 10.3 mOhms 7.3 nC
NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG Datenblatt 40 V 52 A 7.3 mOhms 16 nC
Veröffentlichungsdatum: 2019-08-30 | Aktualisiert: 2024-02-27