onsemi J-Baureihe Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM)

Die Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM) der J-Baureihe von onsemi wurden für leistungsstarke Timing-Applikationen, wie z. B. ToF-PET (Time-of-Flight-Positron-Emissions-Topografie), optimiert. Aufgrund der erhöhten Mikrozellen-Dichte können die Sensoren der J-Baureihe einen Wirkungsgrad der Photonendetektion (PDE) von 50 % und eine Empfindlichkeit bis hinunter zu UV erzielen. Diese Sensoren bieten branchenführende niedrige Dunkelzahlraten von 50 kHz/mm2. Da die Sensoren mit einem hochvolumigen CMOS-Siliziumverfahren hergestellt wurden, verfügen sie über eine außergewöhnliche Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV. Die Sensoren der J-Baureihe sind in Größen von 3 mm, 4 mm und 6 mm verfügbar und in einem TSV-Chip-Scale-Gehäuse untergebracht, das mit den bleifreien Reflow-Löt-Industriestandard-Verfahren kompatibel ist. Außerdem verfügen die Sensoren der J-Baureihe über die einzigartige Schnellausgabe von onsemi für eine schnelle Timing-Leistung.

Merkmale

  • Mikrozellen mit hoher Dichte
  • Die Sensoren der J-Baureihe verfügen über die einzigartige Schnellausgabe von onsemi
  • Temperaturstabilität von 21,5 mV/°C
  • Außergewöhnliche Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV
  • Erhältlich in einem Reflow-lötbaren TSV-Chip-Scale-Gehäuse
  • Extrem niedrige Dunkelzahlraten von 50 kHz/mm2 (typisch)
  • Optimiert für leistungsstarke Timing-Applikationen, wie z. B. ToF-PET
  • Sensorgrößen von 3 mm, 4 mm und 6 mm
  • Vorspannung von <30 V
  • Ermöglicht einen Wirkungsgrad von 50 % bei der Photonendetektion (PDE) bei 420 nm
  • Verbesserte Signal-Anstiegszeit und Mikrozellen-Recoveryzeit
  • Macht die Notwendigkeit einer aktiven Spannungsregelung überflüssig
  • Branchenführende Homogenität
  • Aufgrund des Eisenmetall-freien TSV-Gehäuses nahezu keinen Totraum, was die Erstellung von Arrays mit hohem Füllfaktor ermöglicht

Applikationen

  • Medizinische Bildverarbeitung
  • Gefahren und Bedrohung
  • 3D-Entfernung und -Erfassung
  • Biophotonik und Wissenschaften
  • Hochenergiephysik
Veröffentlichungsdatum: 2018-11-16 | Aktualisiert: 2023-01-27