onsemi Galvanisch getrennte Hochstrom-Gate-Treiber
Die galvanisch getrennten Hochstrom-Gate-Treiber von onsemi bieten eine hohe Transienten- und elektromagnetische Störfestigkeit. Der NCx5700x ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Die Treiber verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fault- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz, Sanftabschaltung bei DESAT und separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) für ein einfacheres Systemdesign. Die NCx5700x nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Diese Bauteile von onsemi bieten eine galvanische Trennung von >50 kVRMS (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 VIORM -fähig (Betriebsspannung). Die Baureihe NCx5700x ist in eine Wide-Body-SOIC-16-Gehäuse mit garantierter Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang erhältlich, um erhöhte Sicherheitsanforderungen an die Trennung zu erfüllen.
Der NCx57200 ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht-isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten High- oder Low-Side-Gate-Treiber. Diese Bauteile können zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte High-Side-Treiber kann mit einer isolierten Stromversorgung oder mit der Bootstrap-Technik von der Low-Side-Stromversorgung betrieben werden. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber sorgt für ein zuverlässiges Schalten in Hochleistungsapplikationen für IGBTs, die mit bis zu 800 V bei hohem dv/dt betrieben werden. Die optimierten Ausgangsstufen bieten eine Möglichkeit zur Reduzierung von IGBT-Verlusten. Die Funktionen umfassen zwei unabhängige Eingänge mit Totzeit und Verriegelung, präzise asymmetrische UVLOs sowie kurze und abgestimmte Laufzeitverzögerungen. Der NCx57200 arbeitet mit seiner VDD/VBS bis zu 20 V.
Die galvanisch getrennten Hochstrom-Gate-Treiber von onsemi machen eine Schutzschaltung am Halbbrückenknoten überflüssig und bieten Flexibilität beim PCB-Layout.
Merkmale
- Verbessert den Systemwirkungsgrad
- Beseitigt die Notwendigkeit für eine Schutzschaltung am Halbbrückenknoten und bietet eine PCB-Layout-Flexibilität
- Verbessert die Sicherheit und Rauschimmunität
- Verhindert Durchzündungsfehler
- Zuverlässiger Betrieb in Hochspannungs- und Schnellschaltungs-Applikationen
- Verhindert ein unbeabsichtigtes Einschalten während des Hochfahrens des Systems
- Bietet Design-Flexibilität durch die Annahme von allgemein verfügbaren und nicht so streng regulierten Versorgungen
- Verbessert die PWM-Signalqualität
- Schutz gegen Überlast und Kurzschlüsse
- Verhindert ein störendes Gate-Einschalten
- Robustheit in Schaltapplikationen mit schneller Anstiegsrate, hoher Spannung und hohem Strom
- Galvanische Trennung zur Trennung von Hochspannungs- und Niederspannungsseiten für Sicherheit und Schutz
Applikationen
- Lüfter und Pumpen
- Haushaltsgeräte
- Unterhaltungselektronik
- Universal-Halbbrücke
- Solarwechselrichter
- Motorsteuerung
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Industrielle Stromversorgungen
- Schweißen
- IH-Kochplatten
- Weißware
- Netzteile, Server und Workstations
- Industriemotoren
- Kommerzielle HLK
- Netzteile für Rechenzentren und Server
Technische Daten
- Hoher Spitzenstromausgang: 1,9 A/-2,3 A und +4 A/-6 A
- Zuverlässiger Betrieb für negative VS-Schwingung von bis zu -800 V
- Galvanisch getrennter High-Side-Treiber
- Totzeit- und Verriegelungsschutz
- CMTI von bis zu 50 kV/µs
- Sicherer Ausgang mit niedrigem Zustand ohne VDD/VBS
- Bis zu 20 VDD/VBS Versorgungsbereich
- Kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung
- DESAT mit sanfter Abschaltung
- Aktive Miller-Klemme und negative Gate-Spannung
- Hohe transiente und elektromagnetische Immunität
- Galvanische Trennung von 5 kV
Videos
Empfohlene Treiber
onsemi NCD57000 und NCD57001 Hochstrom-IGBT-Treiber
Einkanalige IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, ideal für Hochleistungsapplikationen.
onsemi NCD57200 Halbbrücken-Gate-Treiber
Verfügt über einen nicht-isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einen galvanisch getrennten High- oder Low-Side-Gate-Treiber.
onsemi NCV57000 Isolierter Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber
Für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen ausgelegt.
onsemi NCV57001 Isolierter Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber
Für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen ausgelegt.