onsemi FGH4L50T65MQDC50 650-V-Field-Stop-IGBT mit mittlerer Geschwindigkeit
Der FGH4L50T65MQDC50 650-V-Field-Stop-IGBT mit mittlerer Geschwindigkeit von onsemi verwendet die Field-Stop-IGBT-Technologie der 4 Generation und die 1,5-SiC-Schottky-Dioden-Technologie. Der FGH4L50T65MQDC50 von onsemi ist in einem kompakten TO-247-4-Pin-Gehäuse untergebracht. Dieses Bauteil bietet aufgrund minimaler Leitungs- und Schaltverluste einen hohen Wirkungsgrad. Der FGH4L50T65MQDC50 ist für verschiedene Applikationen ausgelegt.
Merkmale
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Stromkapazität
- 100 % der Bauteile werden auf ILM getestet.
- Weiche und optimierte Schaltung
- VCE(Sat) = 1,45 V (typisch) bei IC = 50 A niedrige Sättigungsspannung
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Enge Parameterverteilung
- RoHS-konform
Applikationen
- Ladestation (EVSE)
- Solarwechselrichter
- UPS, ESS
- PFC
- Wandler
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-09
| Aktualisiert: 2024-06-24