onsemi AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs
Die isolierten n-Einkanal-1.200-V-25-A-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) AFGHxL25T von onsemi zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus. Der AFGHxL25T von onsemi bietet eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Schaltapplikationen. Die niedrige Durchlassspannung und minimale Schaltverluste bieten eine optimale Leistung für hart- und weichschaltende Topologien in Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Äußerst effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
- Maximale Sperrschichttemperatur (TJ) von 175 °C
- Kurzschlussfestigkeit und niedrige Sättigungsspannung
- Schnelles Schalten und straffe Parameterverteilung
- AEC-Q101-qualifiziert, PPAP auf Anfrage erhältlich
- Diese Bauteile sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- PTC-Heizung für HEV/EV
- E-Kompressor für HEV/EV
- OBC
Pin-Anschlüsse
View Results ( 4 ) Page
| Teilnummer | Datenblatt | Verpackung/Gehäuse | Sättigungsspannung Kollektor-Emitter | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|
| AFGH4L25T120RW |  |
TO-247-4 | 1.37 V | 416 W |
| AFGH4L25T120RWD | |
TO-247-4 | 1.37 V | 416 W |
| AFGHL25T120RW | |
TO-247-3 | 1.38 V | 468 W |
| AFGHL25T120RWD | |
TO-247-3 | 1.38 V | 468 W |
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-22
| Aktualisiert: 2024-08-02