onsemi 1.200-V-SiC-Schottky-Dioden
Die 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Vorteilen für das System zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI sowie eine geringere Systemgröße und -kosten.
Merkmale
- Vereinfachte Parallelschaltung
- Hohe Stromstoßfestigkeit
- Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Höhere Schaltfrequenz
- Geringe Durchlassspannung (VF)
- Positiver Temperaturkoeffizient
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
Applikationen
- HEV-EV-Automotive-DC/DC-Wandler
- HEV-EV-On-Board-Automotive-Ladegeräte
- Industrieleistungstechnik
- PFC
- Solaranlagen
- USV
- Schweißen
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Veröffentlichungsdatum: 2019-05-21
| Aktualisiert: 2024-05-28