onsemi FAN73912 Hochstrom-Halbrücken-Gate-Treiber-IC
Der Hochstrom-Halbrücken-Gate-Treiber-IC von onsemi ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsantrieb von MOSFETs und IGBTs ausgelegt, die mit bis zu +1200 V betrieben werden. Der fortschrittliche HIN-Eingangsfilter bietet Schutz gegen kurzgeschlossene Eingangssignale, die durch Rauschen verursacht werden. Ein fortschrittlicher Niveauregulierungstromkreis bietet einen High-Side-Gate-Treiberbetrieb bis VS = -9,8 V (typisch) für VBS = 15 V. Der UVLO-Stromkreis verhindert eine Fehlfunktion, wenn VCC und VBS niedriger als die angegebene Schwellenspannung sind. Die Ausgangstreiber bieten einen Quellenstrom von 2 A bzw. einem Senkenstrom von 3 A.
Merkmale
- Potenzialfreier Kanal für Bootstrap-Betrieb bis +1200 V
- Typ. 2 A/3 A Quellen-/Senkenstrom-Antriebsfähigkeit für beide Kanäle
- Gate-Treiber-Versorgung (VCC) von 12 V bis 20 V
- Separater Logikversorgungs- (VDD) Bereich von 3 V bis 20 V
- Erweiterte erlaubte negative VS-Abweichung beträgt -9,8 V für Signalausbreitung bei VCC=VBS=15 V
- Eingebaute Zyklus-für-Zyklus-Edge-Trigger-Abschalt-Logik
- Integrierter Durchzündungsschutz
- Gleichtakt dv/dt Rauschunterdrückungsschaltung
- Unterspannungssperre (UVLO) für beide Kanäle
- Integrierter fortschrittlicher Eingangsfilter
- Angepasste Laufzeitverzögerungen unter 50 ns
- Phasensynchroner Ausgang mit Eingangssignal
- Logik und Erde +/- 10 V typ. Offset
Applikationen
- Industrielle Motorantriebe
- USV
- Solar-Wechselrichter
- Vorschaltgerät
- Universal-Halbbrücken-Topologie
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2017-04-20
| Aktualisiert: 2022-03-11