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onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem RDS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige RDS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Geringe Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
  • Bleifrei und RoHS-konform
  • Kleiner Footprint für ein kompaktes Design
  • Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
  • Produkt mit benetzbaren Flanken:
    • NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C
  • AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig:
    • NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF.

Technische Daten

  • 30 V bis 650 V Drain-Source-Durchbruchsspannungsbereich
  • 27 A bis 464 A kontinuierlicher Drain-Strombereich
  • 520 µΩ bis 950 mΩ Drain-Source-Widerstandsbereich
  • 1,2 V bis 4,5 V Gate-Source-Schwellenspannungsbereich
  • 6,3 nC bis 178 nC Gate-Ladungsbereich
  • 3,2 W bis 340 W Verlustleistungsbereich

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Verpackung/Gehäuse Pd - Verlustleistung Qg - Gate-Ladung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Rds On - Drain-Source-Widerstand Id - Drain-Gleichstrom Typische Einschaltverzögerungszeit Regelabschaltverzögerungszeit Anstiegszeit Abfallzeit
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G Datenblatt MOSFETs PTNG 120V SG SO-8FL-4 104 W 42 nC 4 V 6 mOhms 93 A
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE 292 W 79 nC 4.5 V 4.45 mOhms 165 A
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL DFN-8 293 W 79 nC 4.5 V 4.45 mOhms 174 A 38 ns 48 ns 11 ns 8 ns
NVTFS003N04CTAG NVTFS003N04CTAG Datenblatt MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V WDFN-8 69 W 23 nC 2.5 V 3.5 mOhms 103 A 10 ns 19 ns 47 ns 3 ns
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 Datenblatt MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX TO-LL8-8 180.7 W 148 nC 4 V 670 uOhms 240 A
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 Datenblatt MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX TO-LL8-8 136.4 W 75 nC 3.5 V 1.21 mOhms 240 A
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Datenblatt MOSFETs LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION SO-8FL 200 W 65 nC 2.2 V 620 uOhms 433 A
NTBLS1D7N08H NTBLS1D7N08H Datenblatt MOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET TO-LL8-8 167 W 121 nC 4 V 1.7 mOhms 203 A
NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G Datenblatt MOSFETs PTNG 120V SG SO-8FL-4 102 W 33 nC 4 V 8 mOhms 79 A
NVTFS4C02NTAG NVTFS4C02NTAG Datenblatt MOSFETs T6 30V NCH U8FL WDFN-8 3.2 W 20 nC 2.2 V 2.25 mOhms 162 A
Veröffentlichungsdatum: 2019-07-22 | Aktualisiert: 2025-07-16