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onsemi Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench® -MOSFETs von Onsemi sind n-Kanal und bieten optimierte Schaltleistung. Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Body-Diode für ein besonders geräuscharmes Schalten. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringeren Schaltspitzen und geringerer elektromoagnetischer Störung (EMI). Sie  verbessern die Umschaltungs-Gütezahl (FOM). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung für ATX-/Server-/Telekommunikations-PSU, Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Mikro-Solarwechselrichter.

Merkmale

  • MOSFET mit abgeschirmter Gate-Technologie
  • Optimiertes Schaltverhalten
  • 5 mΩ (maximal) RDS(on) bei VGS = 10 V und ID = 97 A
  • 50 % niedrigeres Qrr als andere MOSFETs
  • Verringert Schaltrauschen/EMI
  • Vollständig UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS)
  • 150 V Drain-zu-Quellen-Spannung (VDSS)
  • Maximaler Drainstrom (ID) von 139 A

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
    • Advanced Technology eXtended (ATX)
    • Server
    • PSU-Technologie für Telekommunikation
  • Motorantriebe
  • USV
  • Mikro-Solar-Wechselrichter

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Umfangreiches Portfolio von n-Kanal- und p-Kanal-Versionen für eine niedrige RDS(ON)-Schaltleistung.

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
NTP011N15MC NTP011N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
NTP5D0N15MC NTP5D0N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
NTP7D3N15MC NTP7D3N15MC Datenblatt MOSFETs PTNG 150V N-FET TO220
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-16 | Aktualisiert: 2024-11-07