onsemi NTTFS1D2N02P1E Leistungs-MOSFET
Der Leistungs-MOSFET NTTFS1D2N02P1E von onsemi ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 1 mW, 180 A, und 25 V, der Vorteile wie z. B. minimierte Leitungs- und Treiberverluste bietet. Der Leistungs-MOSFET NTTFS1D2N02P1E von onsemi verfügt über einen niedrigen RDS(on), geringe QG und Kapazität. Mit dem kleinen Footprint einer fortschrittlichen Gehäusetechnologie von 3,3 mm × 3,3 mm ist dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET kompakt im Design und bietet eine hervorragende thermische Leistung. Zu den typischen Anwendungen gehören DC/DC-Wandler, Leistungslastschalter, und sekundärseitige Gleichrichtung.
Merkmale
- Kompaktes Design und kleiner Footprint in fortschrittlicher 3,3 mm × 3,3 mm Gehäusetechnologie
- Hervorragende thermische Eigenschaften
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und niedrige Kapazität zur Minimierung von Antriebsverlusten
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Leistungslastschalter
- Batteriemanagement von Notebooks
- Sekundärseitige Gleichrichtung
- PoL
- Server
- Telekommunikationsausstattung
- Hochwertige Notebooks
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 25 V
- 180 A ID Dauersenkenstrom
- 1 mΩ RDS(on) bei 10 V
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperatur: -55 °C zu +150 °C
Veröffentlichungsdatum: 2020-02-26
| Aktualisiert: 2024-05-21