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onsemi NTMFS011N15MC N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS011N15MC N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi wird in einem fortschrittlichen PowerTrench®-Prozess mit abgeschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser MOSFET minimiert Einschaltwiderstand und sorgt für eine überragende Schaltleistung mit einer erstklassigen Soft-Body-Diode. Der NTMFS011N15MC MOSFET von Onsemi bietet einen niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) und eine niedrige Gate-Ladung (Qg). Dieser MOSFET senkt die Schaltverluste und elektromoagnetische Störung (EMI). Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.

Merkmale

  • MOSFET mit abgeschirmter Gate-Technologie
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
  • 50 % niedrigerer Qrr als andere MOSFET-Anbieter
  • Verringert Schaltrauschen/EMI
  • MSL1 robustes Gehäusedesign
  • 100 % UIS-getestet

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
  • AC/DC- und DC/DC-Netzteile
  • AC-DC-Adapter (USB PD) SR
  • Lastschalter
  • Primäre MOSFETs in isolierten DC/DC-Netzteilen

Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - onsemi NTMFS011N15MC N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Weitere Ressourcen

Veröffentlichungsdatum: 2020-09-16 | Aktualisiert: 2024-06-04