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onsemi NTBS9D0N10MC Einzel-n-Kanal MOSFET

Der NTBS9D0N10MC Einzel-n-Kanal-MOSFET von onsemi bietet einen niedrigen Drain-Source-ON-Widerstand RDS(ON), der Leitungsverluste reduziert. Dieser MOSFET bietet eine niedrige GATE Gesamtladung (QG) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NTBS9D0N10MC MOSFET von onsemi verringert das/die Schaltrauschen/Elektromoagnetische Störung (EMI.) Dieser MOSFET bietet 100 V Drain-Source Spannung (VDSS) und einen maximalen Dauersenkenstrom (ID) von 60 A. Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.

Merkmale

  • 9 mΩ (max.) R DS(on) bei 10 V reduziert Leitungsverluste.
  • Optimiertes Schaltverhalten
  • Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
  • Verringert Schaltrauschen/EMI
  • 60 A ID (max.)
  • 100 VDSS

Applikationen

  • Elektrowerkzeuge
  • Batteriebetriebene Staubsauger
  • UAV/Drohnen
  • Materialtransport
  • BMS/Speicher
  • Heimautomatisierung

Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - onsemi NTBS9D0N10MC Einzel-n-Kanal MOSFET

Weitere Ressourcen

Veröffentlichungsdatum: 2020-09-10 | Aktualisiert: 2024-06-11