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onsemi NTBLS4D0N15MC n-Einkanal-MOSFET

Der onsemi NTBLS4D0N15MC n-Einkanal-MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem RDS(on), der Leitungsverluste reduziert. Dieser MOSFET bietet eine niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NTBLS4D0N15MC MOSFET senkt das Schaltrauschen/EMI und verfügt über einen maximalen Dauersenkenstrom (ID) von 187 A und eine Drain-Quellenspannung (VDSS) von 150 V. Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
    • 4,4 mΩ (max.) bei 10 V
    • 4,9 mΩ (max.) bei 8 V
  • 150 V VDSS
  • 187 A ID (max.)
  • Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
  • Verringert Schaltrauschen/EMI

Applikationen

  • Elektrowerkzeuge
  • Batteriebetriebene Staubsauger
  • Unbemannte Luftfahrzeuge/Drohnen
  • Materialtransport
  • BMS/Speicher
  • Heimautomatisierung

Weitere Ressourcen

Veröffentlichungsdatum: 2020-09-04 | Aktualisiert: 2024-06-11