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onsemi NTBLS1D5N08MC n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET NTBLS1D5N08MC von onsemi verfügt über einen niedrigen RDS(on), geringe Kapazität und QG zur Minimierung der Leitungs- und Treiberverluste. Der Leistungs-MOSFET NTBLS1D5N08MC von onsemi senkt das Schaltrauschen und arbeitet bei 80 V(BR)DSS, 298 A ID(max) und 1,53 mΩ RDS(on) bei 10 V. Zu den typischen Anwendungen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsysteme (BMS)/-speicher und Heimautomatisierung.

Merkmale

  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
  • Geringes Schaltrauschen/EMI
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Elektrowerkzeuge und akkubetriebene Staubsauger
  • UAV/Drohnen und Materialtransport
  • BMS/Speicher und Heimautomatisierung

Technische Daten

  • Drain-Source-Durchschlagspannung 80 V
  • Gate-Source-Spannung ±20 V
  • 298 AA Dauersenkenstrom
  • 250 WW Verlustleistung
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2020-02-26 | Aktualisiert: 2024-05-20