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onsemi NIV1x ESD-Entstörerelemente/TVS-Dioden

Die ESD-Entstörerelemente/TVS-Dioden NIV1x von onsemi sind zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen von ESD sowie Kurzschluss-zu-Fahrzeugbatterie-Situationen ausgelegt. Diese Dioden zeichnen sich durch eine extrem geringe Kapazität und eine niedrige ESD-Klemmspannung aus. Die Dioden NIV1x sind eine ideale Lösung für den Schutz spannungsempfindlicher Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen, während der FET mit niedrigem RDS(on) die Verzerrung auf den Signalleitungen begrenzt. Diese Dioden von onsemi umfassen integrierte MOSFETs mit Kurzschluss-zu-Batterie-Blockierung und Kurzschluss-zu-USB-V-Bus -Blockierung. Die ESD-Entstörerelemente NIV1x arbeiten bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C, einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer Gate-Source-Spannung von ±10 V. Diese Dioden eignen sich hervorragend für Hochgeschwindigkeits-Signalpaare bei Fahrzeuganwendungen, USB 2.0 und Low-Voltage Differential Signaling (LVDS).

Merkmale

  • Niedrige Kapazität
  • Integrierte MOSFETs:
    • Kurzschluss-zu-Batterie-Blockierung
    • Kurz-zu-USB-VBUS -Blockierung
  • Benetzbare Flanken für eine optimale automatische optische Inspektion (AOI)
  • Qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, und RoHS-konform
  • NIV-Präfix für Automotive- und andere Applikationen, die einzigartige Platz- und Steueränderungsanforderungen erfüllen müssen

Technische Daten

  • NIV1161x
    • 0,65 pFF Kapazität
    • Betriebssperrspannung: 16 V
    • Sperrstrom: 1 μA
  • NIV1241
    • 0,66 pFF Kapazität
    • Betriebssperrspannung: 23,5 V
    • Sperrstrom: 0,5 μA
  • Betriebs- und Lagertemperaturbereich -55 °C bis +150 °C
  • Drain-Source-Spannung: 30 V
  • Gate-Quellenspannung: ±10 V

Applikationen

  • Automotive-Hochgeschwindigkeits-Signalpaare
  • USB 2.0
  • LVDS

Datenblätter

Schaltungsanordnung

Schaltungsanordnung - onsemi NIV1x ESD-Entstörerelemente/TVS-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2020-12-02 | Aktualisiert: 2024-05-31