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onsemi FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET

Der SUPERFET III MOSFET FCB125N65S3 von onsemi ist ein Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET, der die Ladungsausgleichstechnologie für einen herausragenden niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige Gate-Ladungsleistung nutzt. Die Technologie reduziert die Leitungsverluste, bietet eine hervorragende Schaltleistung und ist gegen eine extreme dv/dt-Rate beständig. Der FCB125N65S3 SUPERFET III von onsemi hilft bei der Bewältigung von EMI-Problemen und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikations/Server-Stromversorgungen, Industriestromversorgung und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)/Solaranlagen. 

Merkmale

  • Hochspannungs-SJ-MOSFET
  • Nutzt die Ladungsausgleich-Technologie
  • Reduziert den Leitungsverlust
  • Bietet eine hervorragende Schaltleistung
  • Widersteht eine extreme dv/dt-Rate
  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
  • Drain-Source-Widerstand RDSON: 125 mΩ (max.) bei 10 V
  • Niedrig Gate-Ladung Qg: 46 nC (typ.)
  • Niedrige effektive Ausgangskapazität Coss(eff): 439 pF (typ.)
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • Telekommunikations-/Server-Stromversorgung
  • Industrienetzteile
  • UPS/Solar

Leistungsdiagramm

Leistungsdiagramm - onsemi FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-14 | Aktualisiert: 2024-05-29