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onsemi n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen RDS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.

The FDD10N20LZ and FDD7N25LZ are N-Channel enhancement mode power field-effect transistors that are produced using planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been specially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switching mode power supplies and active power factor correction.

The FDMC6296 is a single N-Channel MOSFET in a thermally efficient MicroFET Package that has been specifically designed to perform well in Point of Load converters. Providing an optimized balance between rDS(on) and gate charge, this device can be effectively used as a "high side" control switch or "low side" synchronous rectifier.

Technische Daten

  • 25 to 250V breakdown voltage
  • 1.16 to 430mΩ resistance range
  • 1.6 to 460A current
  • 1.5 to 333W power dissipation

Cloud Power

onsemi Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Steigern den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Vereinfachung des Systemdesigns, Reduzierung des Platzbedarfs auf dem Board und Verbesserung der Zuverlässigkeit.

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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Serie
FDD86250 FDD86250 Datenblatt 150 V 51 A 31 mOhms FDD86250
FDB0165N807L FDB0165N807L Datenblatt 80 V 310 A 2.7 mOhms FDB0165N807L
FDMS86103L FDMS86103L Datenblatt 100 V 12 A 6.4 mOhms FDMS86103L
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Datenblatt 250 V 6.2 A 430 mOhms FDD7N25LZ
FDBL0260N100 FDBL0260N100 Datenblatt 100 V 200 A 2.6 mOhms FDBL0260N100
FDB0630N1507L FDB0630N1507L Datenblatt 150 V 130 A 26 mOhms FDB0630N1507L
NVMFS5C420NLT1G NVMFS5C420NLT1G Datenblatt 40 V 277 A 1 mOhms NVMFS5C420NL
FDBL0240N100 FDBL0240N100 Datenblatt 100 V 210 A 2.8 mOhms FDBL0240N100
FDMC86102L FDMC86102L Datenblatt 100 V 18 A 23 mOhms FDMC86102L
FDMC8622 FDMC8622 Datenblatt 100 V 16 A 56 mOhms FDMC8622
Veröffentlichungsdatum: 2011-08-10 | Aktualisiert: 2024-11-07