Omron Electronics G3VM-66M SPDT-MOSFET-Relais

Das Omron G3VM-66M SPDT-MOSFET-Relais ist ein Solid State Relais im Modulgehäuse mit Single-Pole-Double-Throw (SPDT). Das G3VM-66M Relais verfügt über eine kleine Größe, ist mit der Kontaktart 1c (SPDT) vollständig abgedichtet und für die Oberflächenmontage ausgelegt. Dieses SPDT-MOSFET-Relais verfügt über eine Load-Spannung von 60 V und eine Spannungsfestigkeit von 300 V/Min. zwischen dem Ein- und Ausgang. Das G3VM-66M Relais arbeitet in einem Temperaturbereich von -30 °C bis 80 °C und unterstützt einen Lagertemperaturbereich von -30 °C bis 100 °C. Dieses SPDT-MOSFET-Relais eignet sich hervorragend für Halbleiter-Testausrüstungen.

Merkmale

  • Kleiner Footprint
  • Kontaktart: Ic SPDT
  • 60 V Lastspannung
  • Oberflächenmontage
  • 300 VAC Spannungsfestigkeit zwischen I/O
  • Betriebstemperaturbereich von -30 °C bis 80 °C
  • Lagertemperaturbereich von -30 °C bis 100 °C
  • Röhrenverpackung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Semiconductor test equipment

G3VM-66M Erscheinungsbild und interne Verbindungen

Omron Electronics G3VM-66M SPDT-MOSFET-Relais

G3VM-66M Abmessungen

Technische Zeichnung - Omron Electronics G3VM-66M SPDT-MOSFET-Relais

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Veröffentlichungsdatum: 2018-03-28 | Aktualisiert: 2022-10-31