Omron Electronics G3VM-WR P-SON-MOSFET-Relais

Omron Electronics G3VM-WR P-SON-MOSFET-Relais werden in einer unbedrahteten 4-Pin-Hochstrom-P-SON-Gehäusegröße angeboten. Die Baureihe bietet eine Load-Spannung von 30 V/60 V/100 V mit einem Dauerlaststrom von bis zu 4,5 A und einem hohen Umgebungsbetriebstemperaturbereich von -40 °C bis +110 °C. Diese Relais verfügen über eine 1-A-Kontaktart (SPST-NO) und oberflächenmontierbare Anschlüsse. Die Anschlussform verbessert die Lötstelle und Lötsicht. Die G3VM-WR P-SON-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind zur Verbesserung der Strahlungsleistung sowie zum Ausgleich von höherem Strom mit einer kleinen Größe ausgelegt, wodurch sie sich für ATE (Pin-Elektronik) eignen. Zu den typischen Applikationen gehören Halbleiter-Testgeräte, Kommunikationsgeräte, Test- und Messgeräte sowie Datenlogger.

Merkmale

  • Unbedrahtete 4-Pin-Hochstrom-P-SON-Gehäusegröße
  • Load-Spannung: 30 V/60 V/100 V
  • 30-V-Relais: Dauerlaststrom von max. 4,5 A
  • 60-V-Relais: Dauerlaststrom von max. 3 A
  • 100-V-Relais: Dauerlaststrom von max. 2 A
  • 1a (SPST-NO) Kontaktart
  • Oberflächenmontierbare Anschlüsse
  • Gleicht einen höheren Strom mit einer kleinen Größe aus und eignet sich für ATE (Pin-Elektronik)
  • Zur Verbesserung der Strahlungsleistung ausgelegt
  • Anschlussform verbessert die Lötstelle und Lötsicht
  • Umgebungsbetriebstemperaturbereich: -40 °C bis +110 °C
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Halbleiter-Testgeräte
  • Kommunikationsgeräte
  • Test- und Messgeräte
  • Datenlogger

Abmessungen (mm)

Omron Electronics G3VM-WR P-SON-MOSFET-Relais

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Veröffentlichungsdatum: 2021-03-04 | Aktualisiert: 2025-04-15