NXP Semiconductors NXP MRF300 LDMOS-HF-Leistungstransistoren

Die MRF300 LDMOS-HF-Leistungstransistoren von NXP verfügen über einen unübertroffenen Ein- und Ausgang, der einen Betrieb über einen großen Frequenzbereich von 1,8 MHz bis 250 MHz ermöglicht. Durch die hohe Robustheit, eignen sich diese Transistoren für ISM-Applikationen (Industrial, Scientific und Medical) mit hohem VSWR, Rundfunk, mobile Funkgeräte, HF-/VHF-Kommunikation und Schaltnetzteile. Die MRF300 LDMOS-Transistoren bieten zwei gegenüberliegende Pinbelegungsversionen (A und B), die zur Verwendung in einer Push-Pull-Two-Up-Konfiguration für die Breitband-Leistungsfähigkeit ausgelegt sind. Diese Transistoren sind in einem TO-247-Industriestandard-Gehäuse untergebracht und bieten Flexibilität und eine einfache Montage.

Merkmale

  • Unübertroffener Ein- und Ausgang ermöglicht eine breite Frequenzausnutzung
  • Zwei gegenüberliegende Pinbelegungsversionen (A und B), die zur Verwendung in einer Push-Pull-Two-Up-Konfiguration für die Breitband-Leistungsfähigkeit ausgelegt sind

Applikationen

  • Industrie, Wissenschaft und Medizin (ISM)
    • Lasergenerierung
    • Plasmaätzen
    • Teilchenbeschleuniger
    • MRI und andere medizinische Applikationen
    • Industrielle Heiz-, Schweiß- und Trocknungssysteme
  • Rundfunk
    • Rundfunkübertragung
    • VHF-Fernsehrundfunk
  • Mobile Funkgeräte
    • VHF-Basisstationen
  • HF- und VHF-Kommunikation
  • Schaltnetzteile

Technische Daten

  • 30VDC bis 50 VDC Betriebsspannungsbereich
  • Kontinuierliche Welle von 300 W
  • Bis zu 250 MHz Betriebsfrequenz
  • Verarbeitet 65:1-VSWR

Videos

Veröffentlichungsdatum: 2018-06-19 | Aktualisiert: 2022-11-15