NXP Semiconductors MRF101 HF-Leistung-LDMOS-Transistoren
Die MRF101 HF-Leistungs-LDMOS-Transistoren von NXP Semiconductors sind höchst robuste seitliche N-Kanal-Verbesserungs-MOSFETs, die entwickelt wurden, um bis zu 250 MHz aufzuweisen. Diese Transistoren integrieren einen ESD-Schutz mit größerem negativen Gate-Quellenspannungsbereich für einen verbesserten Betrieb der Klasse C. Beide Transistoren sind in zwei Pinbelegungsversionen erhältlich und widerspiegeln sich, um Push-Pull-Konfigurationen für eine zusätzliche Flexibilität zu unterstützen. Die MRF101 Transistoren eignen sich hervorragend für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Applikationen mit hohem Stehwellenverhältnis (VSWR).
Merkmale
- Spiegel-Pinbelegungsversionen (A und B) zur Vereinfachung der Verwendung in einer Push-Pull-, Two-Up-Konfiguration
- Integrierter ESD-Schutz mit größerem negativen Gate-Source-Spannungsbereich für verbesserten Betrieb der Klasse C
- Arbeitet bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
- Gekennzeichnet von 30 V bis 50 V
- Geeignet für lineare Applikationen
- TO-220-3L Gehäuse
Applikationen
- Industrie, Wissenschaft, Medizin (ISM):
- Lasergenerierung
- Plasmaätzen
- Teilchenbeschleuniger
- MRI und andere medizinische Applikationen
- Industrielle Heiz-, Schweiß- und Trocknungssysteme
- Rundfunk:
- Rundfunkübertragung
- VHF-Fernsehrundfunk
- Mobilfunk:
- VHF-Basisstationen
- HF- und VHF-Kommunikation
- Schaltnetzteile
Weitere Ressourcen
Development Tools
NXP Semiconductors MRF101AN Referenzschaltungen
Ermöglichen eine schnelle Evaluierung und ein schnelles Prototyping des MMRF101AN 100-W-HF-Leistungstransistors.
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Veröffentlichungsdatum: 2018-12-03
| Aktualisiert: 2022-10-17