NXP Semiconductors A5G35S008N Evaluierungsboard
Das NXP Semiconductors A5G35S008N Evaluierungsboard wird mit dem A5G35S008N Airfast-HF-Leistungs-GaN-Transistor verwendet. Das Board ist ein Treiber für diskrete 32T-mMIMO-Lösungen. Das Board verfügt über einen diskreten 48-V-GaN-Transistor, 3.300 bis 4.000 MHz und eine Spitzenleistung von 40 dBm (10 W).
Merkmale
- Diskreter 48-V-GaN-Transistor
- Bei 13 dB OBO
- 27 dBm durchschnittlich (0,5 W)
- 21 dB Gain
- 18 % Drain-Wirkungsgrad (Klasse AB)
- 3.300 bis 4.000 MHz
- 40 dBm Spitze (10 W)
- Umspritztes DFN-Kunststoffgehäuse von 4,5 x 4
- Einendig, vorangepasster Eingang, unangepassterAusgang
Typisches Produktangebot
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-26
| Aktualisiert: 2023-01-12