NXP Semiconductors A5G35S004N Evaluierungsboard
Das NXP Semiconductors A5G35S004N Evaluierungsboard wird mit dem A5G35S004N Airfast HF-Leistungs-GaN-Transistor verwendet. Das Board ist ein nicht abgestimmtes Bauteil für die Nutzung eines großen Frequenzbereichs. Das Board verfügt über einen diskreten 48-V-GaN-Transistor, 500 MHz bis 5.800 MHz und einen Spitzenwert von 36,6 dBm (5 W).
Merkmale
- Diskreter 48-V-GaN-Transistor
- Bei 12,1 dB OBO für 3.400 bis 3.600 MHz
- Durchschnittl. 24,5 dBm (0,3 W)
- 19 dB Gain
- Drain-Wirkungsgrad (Klasse AB): 20 %
- 500-5800MHz
- 36,6 dBm Spitze (5 W)
- Umspritztes DFN-4,5-x-4-Kunststoffgehäuse
- Einendig, nicht abgestimmt
Typische Anordnung
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-26
| Aktualisiert: 2022-10-28