NXP Semiconductors A5G26H110N Evaluierungsboard
Das NXP Semiconductors A5G26H110N Evaluierungsboard wird mit dem A5G26H110N Airfast-HF-GaN-Leistungstransistor verwendet. Das Board ist für 32T, 320-W-Funkeinheiten (durchschnittl. 10 W) 5 W für jede Antenne) ausgelegt. Sein Zielband ist n41 und bietet doppelt mehr Leistung im selben Gehäuse wie 64T-Lösungen.
Merkmale
- Diskreter 48-V-GaN-Transistor
- bei 8,7 dB OBO
- 41,8 dBm (durchschnittl.) (15 W)
- Gain: 16 dB
- Drain-Wirkungsgrad (Doherty): 58 %
- 2.496 bis 2.690 MHz
- Spitze (110 W): 50,5 dBm
- Umspritztes DFN-Kunststoffgehäuse von 7 x 6,5
- Asymmetrisch - 1,9:1 Verhältnis, vorjustierterEingang und Ausgang
Typische Anordnung
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-26
| Aktualisiert: 2022-06-24