NXP Semiconductors A3G26D055N Evaluierungsboard
Das NXP Semiconductors A3G26D055N Evaluierungsboard wird mit dem A3G26D055N Airfast® HF-Leistungs-GaN-Transistor verwendet. Das Board ist für 64T-Funkeinheiten mit 320 W (durchschnittl. 5 W für jede Antenne) ausgelegt. Sein Zielband ist n41 und verfügt über einen nicht abgestimmten Ausgang, wodurch es für mehrere Frequenzen geeignet ist.
Merkmale
- Diskreter 48-V-GaN-Transistor
- Bei 8,2 dB OBO
- Durchschnittl. 39 dBm (8 W)
- Gain: 18 dB
- Drain-Wirkungsgrad (Doherty): 54 %
- 700-2690MHz
- 47,2 dBm Spitze (55 W)
- Umspritztes DFN-7-x-6,5-Kunststoffgehäuse
- Symmetrischer, vorab abgestimmter Eingang, nicht abgestimmter Ausgang
Typische Anordnung
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-26
| Aktualisiert: 2022-12-02