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Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs sind für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Diese Nexperia MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(on)] aus, der von 2,8 mΩ bis 14 mΩ reicht, und unterstützen 60 V und 100 V Drain-Source-Spannungen (VDS). Diese MOSFETs sind für die Kompatibilität mit Logikpegeln optimiert und eignen sich für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung, Gleichstromwandler, Motorantriebe, Lastschaltungen und LED-Beleuchtungen. Diese MOSFETs sind in thermisch effizienten MLPAK33- und MLPAK56-Gehäusen untergebracht, die kompakte Grundfläche und verbesserten thermischen Wirkungsgrad bieten. Mit Eigenschaften wie niedriger Gatterladung (Qg) und hoher Robustheit gegen Lawinendurchbrüche gewährleistet die Baureihe PXNx zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.

Merkmale

  • 60 V und 100 V Optionen
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand
    • 5,7 mΩ zu 14 mΩ Bereich für 60 V
    • 2,8 mΩ zu 2,9 mΩ Bereich für 100 V
  • Kompatibilität mit logischen Pegeln
  • Trench-MOSFET-Technologie
  • Wärmeeffiziente Pakete in kleiner Baugröße
    • 3,3 mm x 3,3 mm Grundfläche, MLPAK33 (SOT8002-1) für 60 V
    • 5,15 mm x 6,15 mm Grundfläche, MLPAK56 (SOT8038-1) für 100 V

Applikationen

  • Sekundärseitige Synchrongleichrichtung
  • Gleichstromwandler
  • Haushaltsgeräte
  • Motorantriebe
  • Lastschaltung
  • LED-Beleuchtung
  • E-Bikes (nur 100 V )

Technische Daten

  • Maximale Drainstrombereiche
    • 39 A auf 83 A für 60 V
    • 180 A auf 184 A für 100 V
  • Maximal zulässige Gesamtverlustleistung
    • 43 W auf 79 W für 60 V
    • 181 W für 100 V
  • Typische Gatter-Drain-Ladungsbereiche
    • 2,1 nC bis 5,7 nC für 60 V
    • 19 nC bis 20 nC für 100 V
  • Typische Bereiche für die gesamte Gatterladung
    • 5.9 nC auf 16,5 nC für 60 V
    • 51 nC bis 74 nC für 100 V
  • Maximale nicht repetitive Drain-Source-Lawinendurchbruchsenergiebereiche
    • 22,5 mJ bis 90 mJ für 60 V
    • 275,6 mJ auf 714 mJ für 100 V
  • Typische Source-Drain-Dioden-Rückladungsbereiche
    • 4,9 nC bis 11 nC für 60 V
    • 31 nC bis 48 nC für 100 V
  • Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-08 | Aktualisiert: 2025-04-13