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Nexperia EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Die EMV-optimierten NextPowerS3 MOSFETs von Nexperia sind in einem Raumfahrt  LFPAK56-Gehäuse mit hohem Wirkungsgrad untergebracht. Diese MOSFETs sind Avalanche-fähig. Die NextPowerS3 MOSFETs unterstützen eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C. Diese MOSFETs sind EU-RoHS-konform. Die NextPowerS3 MOSFETs verfügen über eine Spitzenlöttemperatur von +260°C und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und bürstenlose DC-Motorsteuerung.

Technische Daten

  • Avalanche-bewertet
  • LFPAK56-Gehäuse
  • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Spitzenlöttemperatur: +260 °C
  • -55 °C bis +175 °C Lagertemperaturbereich
  • EU-RoHS-konform

Applikationen

  • DC/DC-Wandler
  • Bürstenlose DC-Motorsteuerung

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Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Nexperia EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Weitere Ressourcen

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Teilnummer Datenblatt Montageart Verpackung/Gehäuse Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung Abfallzeit Produkt-Typ Anstiegszeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit
PSMN3R2-40YLBX PSMN3R2-40YLBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 120 A 3.3 mOhms 2.05 V 42 nC 115 W 12 ns MOSFETs 21 ns 19 ns 17 ns
PSMN1R7-40YLBX PSMN1R7-40YLBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 200 A 1.8 mOhms 2.05 V 79 nC 194 W 20 ns MOSFETs 30 ns 33 ns 31 ns
PSMN1R9-40YSBX PSMN1R9-40YSBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 200 A 1.9 mOhms 3.6 V 56 nC 194 W 13 ns MOSFETs 11 ns 33 ns 15 ns
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 180 A 2.1 mOhms 28 nC 166 W MOSFETs
PSMN2R2-40YSBX PSMN2R2-40YSBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8 40 V 180 A 2.2 mOhms 3.6 V 49 nC 166 W 12 ns MOSFETs 9 ns 29 ns 13 ns
PSMN2R5-40YLBX PSMN2R5-40YLBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 160 A 2.6 mOhms 2.05 V 56 nC 147 W 17 ns MOSFETs 25 ns 27 ns 22 ns
PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 160 A 2.8 mOhms 3.6 V 42 nC 147 W 9 ns MOSFETs 8 ns 22 ns 12 ns
PSMN3R5-40YSBX PSMN3R5-40YSBX Datenblatt SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 120 A 3.5 mOhms 3.6 V 30 nC 115 W 7 ns MOSFETs 6 ns 17 ns 9 ns
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-22 | Aktualisiert: 2024-04-11