Nexperia PSMN038 N-Kanal-MOSFET
Der Nexperia PSMN038 N-Kanal-MOSFET ist ein Dual-Standard-Level N-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D (Dual-power-SO8)-Gehäuse. Der Nexperia MOSFET verwendet TrenchMOS-Technologie. Das Bauelement verfügt über einen Drainstrom-IDM mit einem hohen Spitzenwert und einen Clip aus Kupfer mit flexiblen Anschlussdrähten.
Merkmale
- Drainstrom-IDM mit hohem Spitzenstrom
- Kupfer-Clip und flexible Anschlussdrähte
- Hohe Sperrschicht-Betriebstemperatur TJ = 175 °C
- Überragende Zuverlässigkeit
- Niedrige Sperrverzögerungsladung der Body-Diode Qr
Applikationen
- Synchroner Gleichrichter
- Durchfluss- und Flyback-Wechselrichter
- Industrieantrieb
- Leistungsmanagement-System
- Unterbrechungsfreie Bereitstellung von Leistung (UPS)
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-15
| Aktualisiert: 2022-12-09