Nexperia PSC2065x Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden

Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden PSC2065x von Nexperia bieten eine temperaturunabhängige kapazitive Abschaltung und eine Null-Wiederherstellungsschaltung in Kombination mit einer hervorragenden Gütezahl (Qc x VF). Diese Dioden zeichnen sich durch hohe Leistungsfähigkeit, geringe Verluste, hohen Wirkungsgrad, hohe Leistungsdichte und hohe IFSM-Fähigkeit aus. Die PSC2065JJ Dioden sind in einem echten 2-Pin-D2PAK-R2P-Leistungskunststoffgehäuse (TO-263-2) zur Oberflächenmontage (SMD) eingekapselt. Die PSC2065LQ Dioden sind in einem echten 2-Pin-TO247-R2P-Leistungs-Kunststoffgehäuse (TO-247-2) zur Durchsteckmontage eingekapselt. Diese PSC2065x Dioden werden in Schaltnetzteilen (SNT), Photovoltaik-Wechselrichtern, Batterielade-Infrastrukturen und Telekommunikations-Netzteilen verwendet.

Merkmale

  • Keine Durchlass- und Sperrverzögerung
  • Temperaturunabhängige schnelle und reibungslose Schaltleistung
  • Hervorragende Gütezahl (Qc x VF)
  • HoheIFSM-Fähigkeit
  • Hohe Leistungsdichte
  • System-Miniaturisierung
  • Reduzierte EMI

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Photovoltaik-Wechselrichter
  • Batterielade-Infrastrukturen
  • Telekommunikations-Netzteile
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)

Gehäuseabmessungen – D2PAK R2P (SOT8018)

Technische Zeichnung - Nexperia PSC2065x Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden

Gehäuseabmessungen – TO-247-2 (SOT8022)

Technische Zeichnung - Nexperia PSC2065x Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-20 | Aktualisiert: 2024-10-15