Nexperia PSC1065H SiC-Schottky-Dioden
Die PSC1065H Siliziumkarbid (SiC) -Schottky-Diode von Nexperia kombiniert eine extrem hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad mit geringem Energieverlust in Leistungsumwandlungsapplikationen. Diese Dioden bieten eine temperaturunabhängige kapazitive Abschaltung, ein Schaltverhalten mit Null-Sperrverzögerung und eine ausgezeichnete Gütezahl (QC x VF). Die PSC1065H SiC-Schottky-Dioden verfügen über eine System-Miniaturisierung, eine hohe IFSM-Kapazität, eine hohe Leistungsdichte, reduzierte Systemkosten und eine reduzierte EMI. Diese Dioden werden in AC/DC- und DC/DC-Wandlern, Server- und Telekommunikations-Netzteilen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Photovoltaik-Wechselrichtern verwendet.
Merkmale
- Keine Durchlass- und Sperrverzögerung
- Temperaturunabhängiges schnelles und sanftes Schaltverhalten
- Hohe IFSM-Fähigkeit
- Hervorragende Gütezahl (QC x VF)
- Hohe Leistungsdichte
- Niedrigere Systemkosten
- System-Miniaturisierung
- Reduzierte EMI
Technische Daten
- 650 V Maximale periodische Spitzensperrspannung
- 10 AA maximaler Durchlassstrom
- 22 nC kapazitive Gesamtladung
- 175 °C Sperrschichttemperatur
Applikationen
- Schaltnetzteil (SNT)
- AC/DC- und DC/DC-Wandler
- Batterieladeinfrastruktur
- Server- und Telekommunikations-Netzteil
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Photovoltaik-Wechselrichter
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Veröffentlichungsdatum: 2021-11-10
| Aktualisiert: 2024-08-21