Nexperia PSC0665K Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden

Nexperia PSC0665K Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) bieten hohe Leistungsdichte, hohe IFSM-Fähigkeit und hervorragende Gütezahl (Qc x VF). Diese Dioden zeichnen sich durch rückwirkungsfreies Schaltverhalten, reduzierte EMI, rückwirkungsfreie Erholung in Durchlass- und Sperrrichtung sowie geringen Verlust aus. PSC0665K Schottky-Dioden sind in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2, Real-2-Pin DPAK R2P (TO-252-2) oder in einem Bare-Die-Gehäuse gekapselt. Diese Dioden kommen in Wechsel-Gleichstromwandlern, reinen Gleichstromwandlern, Schaltnetzteilen (SMPS), unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS), Photovoltaik-Wechselrichtern und Telekom-Netzteilen zum Einsatz.

Merkmale

  • Kein Rücklauf in Durchlass- und Sperrrichtung
  • Temperaturunabhängige schnelle und reibungslose Schaltleistung
  • Hervorragende Gütezahl (QC x VF)
  • HoheIFSM-Fähigkeit
  • Hohe Leistungsdichte
  • System-Miniaturisierung
  • Reduzierte EMI

Applikationen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • AC/DC- und DC/DC-Wandler
  • Server- und Telekommunikations-Netzteile
  • Batterielade-Infrastruktur
  • Photovoltaik-Wechselrichter
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-21 | Aktualisiert: 2025-02-18