Nexperia PSC0665K Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden
Nexperia PSC0665K Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) bieten hohe Leistungsdichte, hohe IFSM-Fähigkeit und hervorragende Gütezahl (Qc x VF). Diese Dioden zeichnen sich durch rückwirkungsfreies Schaltverhalten, reduzierte EMI, rückwirkungsfreie Erholung in Durchlass- und Sperrrichtung sowie geringen Verlust aus. PSC0665K Schottky-Dioden sind in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2, Real-2-Pin DPAK R2P (TO-252-2) oder in einem Bare-Die-Gehäuse gekapselt. Diese Dioden kommen in Wechsel-Gleichstromwandlern, reinen Gleichstromwandlern, Schaltnetzteilen (SMPS), unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS), Photovoltaik-Wechselrichtern und Telekom-Netzteilen zum Einsatz.Merkmale
- Kein Rücklauf in Durchlass- und Sperrrichtung
- Temperaturunabhängige schnelle und reibungslose Schaltleistung
- Hervorragende Gütezahl (QC x VF)
- HoheIFSM-Fähigkeit
- Hohe Leistungsdichte
- System-Miniaturisierung
- Reduzierte EMI
Applikationen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- AC/DC- und DC/DC-Wandler
- Server- und Telekommunikations-Netzteile
- Batterielade-Infrastruktur
- Photovoltaik-Wechselrichter
Datenblätter
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-21
| Aktualisiert: 2025-02-18
