Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTs
Die Trench-Field-Stop isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) NGWx von Nexperia verfügen über Technologie der dritten Generation und kombinieren Trench-Gate-Strukturen mit Ladungsträger-Speicherung und Field-Stop-Strukturen (FS). Die IGBTs sind für Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und bieten optimierte Ausschaltverluste bei einer Kurzschlussfestigkeit von 5 μs. Diese IGBTs mit 600 V und 30 A für das Hard-Switching sind für Hochspannungs- und Niederfrequenz-Applikationen in industriellen Wechselrichtern und Servomotorantrieben optimiert.
Merkmale
- Nennstrom am Kollektor (IC) bis zu 75 A
- Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
- Stabile und enge Parameter für einen einfachen parallelgeschalteten Betrieb
- Vollständig als sanfte schnelle Sperrverzögerungsdiode eingestuft
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C
- RoHS-konforme, bleifreie Beschichtung
Applikationen
- Motorantriebe für Industrie- und Verbraucherapplikationen, insbesondere Servomotoren, die zwischen 5 kW und 20 kW betrieben werden (bis zu 20 kHz)
- Robotik
- Aufzüge
- Betriebsgreifer
- Inline-Fertigung
- Wechselrichter
- Wechselrichter für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Photovoltaik-Stränge (PV)
- EV-Ladesysteme
- Induktionserwärmung
- Schweißen
Videos
Pin-Informationen
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-01
| Aktualisiert: 2025-04-03