Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET
Der Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET basiert auf der niederohmigen Split-Gate-Technologie Trench 14. Dieser MOSFET bietet eine hohe Leistungsfähigkeit und Lebensdauer und ist in einem LFPAK56E-Gehäuse untergebracht. Der BUK7J2R4-80M MOSFET verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung von 80 V, einen maximalen Drainstrom von 231 A, eine maximale Gesamtverlustleistung von 294 W und eine maximale Gesamt-Gate-Ladung von 127 nC. Dieser MOSFET wird in einer extrem leistungsstarken Leistungsschaltung, einer Magnetsteuerung und in 12 V-, 24 V- und 48 V-automotive-Systemen verwendet.
Merkmale
- Split-Gate-Technologie Trench 14:
- Reduziertes Zell-Rastermaß ermöglicht eine verbesserte Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad mit niedrigerem RDSon im gleichen Footprint
- Schnelles und effizientes Schalten mit optimaler Dämpfung und niedrigen Spannungsspitzen
- LFPAK Knickflügel-Anschlüsse
- Hohe Zuverlässigkeit auf Boardebene absorbiert mechanische Belastungen während thermischen Zyklen
- Visuelle (AOI) Lötprüfung, keine Notwendigkeit für teure Röntgengeräte
- Einfache Lötbenetzung für gute mechanische Lötverbindungen
- LFPAK-Kupfer-Clip-Technologie:
- Verbesserte Zuverlässigkeit mit reduziertem Rth, RDSon und Gehäuseinduktivität
- Erhöht die maximale Strombelastbarkeit und verbessert die Stromstreuung
- AEC-Q101-qualifiziert
Technische Daten
- 80 V maximale Drain-Source-Spannung (25 °C ≤TJ ≤175 °)
- 231 A maximaler Drainstrom (VGS= 10V, Tmb= 2,5 °C)
- 294 W maximale Gesamtverlustleistung (tmb= 2,5 °C)
- Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
Applikationen
- 12 V, 24 V und 48 V Fahrzeugsysteme
- Motor-, Beleuchtungs- und Magnetsteuerung
- Extrem leistungsstarke Leistungsschaltung
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-21
| Aktualisiert: 2024-08-30